承接上篇，我们知道了什么时候防反接保护，和一些防反接电路保护方案，接下来我们再列举两种供大家理解和参考。

二极管+热敏电阻+保险丝防反接保护是利用NTC阻值较小且二极管压降较小的特点，在输入反接时，瞬间的电流使得NTC温度升高，阻值减小，流过NTC和二极管的电流变得很大，将前面串联的保险丝熔断，达到保护后级电路的效果。这种保护电路结构简单，元器件较少，效果明显。然而，它也存在一些不足之处，如在上电一瞬间，如果保险丝熔断速度较慢，仍有一个较小的上升脉冲；二极管的耐流值应留有足够的裕量，避免二极管损坏；当负载阻抗较小或者工作电压较小时，无法起到有效的保护作用，还是有可能反接烧毁；存在两个二极管的压降，可能对供电电压有严格要求。

NMOS防反接保护电路利用NMOS管的开关特性，在输入接法正确时，G极输入高电平，MOS管开通，电路正常运行；输入反接时，G极输入电平低，MOS管封锁，DS无电流流过，且体二极管与电流输入方向相反，MOS管断路，从而保护后级电路。这种保护电路的优点在于MOS管内阻是毫欧级别，饱和压降损耗较小，因此受干扰的影响较小，稳定性较高。在低压电路中防范效果极佳。然而，由于不同型号的NMOS管规格不同，需要针对具体型号进行测试和调整。例如，如果输入电压较高时需要适当更改G极串并联电阻阻值或者在GS间并入稳压二极管以保护MOS管，VDS应当满足最高反向电压的电压要求，否则体二极管可能被击穿。尤其大电流时要考虑MOS管的耐流特性以及散热问题。PMOS类似。

而根据客户产品的使用环境与性能需求来说，灵活的使用最为合适的电路保护方案更为重要。例如在保险丝和二极管防反接保护方案中，使用肖特基二极管相较于普通二极管来说，肖特基二极管的耐压更低，反向漏电流相对更大，但恢复速度快，适用于高频整流场合。而保险丝作为熔断方式的电路次级保护元件，会在反接保护后烧坏，需要更换。所以实际使用时可以考虑选用合适规格与电气特性的自恢复保险丝，减少维护成本。

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